2002年
風(fēng)華高科率先在國內(nèi)自主開發(fā)多層片式
壓敏電阻器并形成產(chǎn)業(yè)化，期間獲得國家經(jīng)貿(mào)委資金扶助并形成規(guī)?；a(chǎn)。
2008年風(fēng)華高科率先在國內(nèi)自主開發(fā)出高性能高耐能通信用多層片式壓敏電阻器，獲得信產(chǎn)部資金資助，通過了省科委鑒定并形成規(guī)?；a(chǎn)。
2008年底，根據(jù)多層片式壓敏電阻器的發(fā)展方向和市場(chǎng)需求，風(fēng)華高科又在國內(nèi)率先推出超低電壓（DC：3.3V）、超低
電容量（15pF）、超低泄漏電流（ 0.1µA）多層片式壓敏電阻器，形成規(guī)?；a(chǎn)。
風(fēng)華高科現(xiàn)能生產(chǎn)三大系列：普通型、高耐能型、高速（低容量）型，一千多種規(guī)格多層片式壓敏電阻器產(chǎn)品，年生產(chǎn)能力達(dá)10億只
風(fēng)華貼片壓敏電阻型號(hào)識(shí)別方法：
型號(hào)實(shí)例：:FPV160808G3R3PMT ；FPV160808S180PMT070
識(shí)別方法：
① FPV—風(fēng)華片式壓敏電阻器
②規(guī)格尺寸: (長×寬×厚)
③產(chǎn)品系列: G（通用系列）、E（高耐能系列）、S（高速系列）
④直流工作電壓Vdc
⑤端頭: P、S
⑥壓敏電壓誤差: K、L、M
⑦包裝: B散包裝、 T編帶
⑧特殊需要，對(duì)于S型超低容量系列的容量標(biāo)注
風(fēng)華壓敏電阻器產(chǎn)品性能表
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類別 |
直流工作電壓 |
壓敏電壓 |
限制電壓 |
能量耐量 |
峰值電流 |
容量@1MHz |
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FPV1005 |
3.3~18V |
5~120V |
10~40V |
0.05J |
20A |
2.3~300pF |
|
FPV1608 |
3.3~68V |
5~120V |
10~130V |
0.05~0.1J |
20~30A |
2.3~300pF |
|
FPV2012 |
3.3~30V |
5~42V |
10~65V |
0.05~0.1J |
20~30A |
25~600pF |
|
FPV3216 |
3.3~68V |
5~86V |
10~130V |
0.1~0.4J |
35~120A |
60~1200pF |
|
FPV3225 |
18~68V |
25~86V |
38~135V |
1.5J |
280~300A |
360~1000pF |
|
FPV4532 |
18~68V |
25~86V |
38~135V |
2.5J |
500A |
450~1500pF |
|
FPV5750 |
18~68V |
25~86V |
38~135V |
2.5J |
600A |
700~4000pF |
|
FPV8063 |
14~385V |
18~470V |
36~775V |
0.3~9.6J |
400A |
45~1750pf |
|
FPV1080 |
14~615V |
18~750V |
36~1240V |
0.8~36J |
1200A |
55~5000pF |
高耐能壓敏電阻選型參考：
（1）通用系列（G）：其工作電壓寬、可靠性高。主要用在一般情況下IC，電源I/O接口的ESD、EFT的浪涌保護(hù)。
一 般 特 性 :
◎ 芯片尺寸：從1005到3216
◎ 薄膜和高精密技術(shù)
◎ 專為表面按裝設(shè)計(jì)無引腳SMD式結(jié)構(gòu)
◎ 額定工作直流電壓3.3V~68V
◎ 額定能量最高到0.1焦耳
◎ 低抑制電壓、高能量吸收
◎ 低感量、快速反應(yīng)
◎ 對(duì)電路電壓的高穩(wěn)定性
◎ 優(yōu)良的溫度系數(shù)
◎ 造合自動(dòng)插取設(shè)備，可以帶裝
◎ 良好的焊接性能
2）高耐能系列（E）：其通流量大，吸收功率大、響應(yīng)速度快。專為吸收電路中存在的能量較大的瞬態(tài)電壓噪聲而設(shè)計(jì)的
一 般 特 性 :
◎ 芯片尺寸：從3216到1298
◎ 薄膜和高精密技術(shù)
◎ 專為表面按裝設(shè)計(jì)無引腳SMD式結(jié)構(gòu)
◎ 額定工作直流電壓3.3V~615V
◎ 額定能量最高到36焦耳
◎ 低抑制電壓、高能量吸收
◎ 低感量、快速反應(yīng)
◎ 對(duì)電路電壓的高穩(wěn)定性
◎ 優(yōu)良的溫度系數(shù)
◎ 造合自動(dòng)插取設(shè)備，可以帶裝
◎ 良好的焊接性能
（3）低容量高速系列（S）：其容量非常低反應(yīng)速度非?？臁８咚傧盗挟a(chǎn)品為高速數(shù)據(jù)線和其它高頻領(lǐng)域提供ESD和EFT保護(hù)
一 般 特 性 :
◎ 芯片尺寸：從1005到2012
◎ 薄膜和高精密技術(shù)
◎?qū)楸砻姘囱b設(shè)計(jì)無引腳SMD式結(jié)構(gòu)，防治ESD
◎ 低抑制電壓、高能量吸收
◎ 低電容量(2.0pF);低壓敏電壓(4V)
◎?qū)﹄娐冯妷旱母叻€(wěn)定性
◎ 優(yōu)良的溫度系數(shù)，低漏電流(直流工作電壓下漏流小于0.1 uA )
◎ 高絕緣阻抗
◎造合自動(dòng)插取設(shè)備，可以帶裝
◎良好的焊接性能
◎通過 IEC61000-4-2 Level 4 (15KV/8KV)
貼片壓敏電阻主要參數(shù)
1、壓敏電壓:在規(guī)定的環(huán)境條件(25℃)下，疊層片式壓敏電阻器通過 規(guī)定的電流（1mA）所測(cè)得的的電壓降，標(biāo)稱壓敏電壓通常為1mA直流電流所對(duì)應(yīng)的電壓
2、限制電壓:在規(guī)定的環(huán)境條件(25℃)下，通過規(guī)定脈沖為（8/20μs）和規(guī)定的峰值電流下，元件兩端產(chǎn)生的峰值電壓。
3、峰值電流:在規(guī)定的環(huán)境條件(25℃)下，通過規(guī)定的脈沖電壓波形（8/20μs），保證疊層片式壓敏電阻器正常工作所允許施加最大電流。這個(gè)脈沖可以施加在元件任意一端。
4、能量耐量:在單個(gè)規(guī)定的脈沖波形（10/1000μs）下，保證疊層片式壓敏電阻器正常工作時(shí)，其所能承受的最大的脈沖能量。
5、漏電流:在規(guī)定的環(huán)境條件(25℃)，在元件兩端施加元件的直流工作電壓所測(cè)得的電流值。
6、電容量:這是元件在規(guī)定頻率（1MHz）和測(cè)試電壓（0.5V）下的 電容量。
貼片壓敏電阻壓敏電壓選取公式
工作電壓選擇：MLV工作電壓≧系統(tǒng)工作電壓
DC：V1mA＝aUdc/(1-b)(1-c) ≈1.5Udc
AC：V1mA＝ aUac/(1-b)(1-c) ≈2.2Udc
通流量，能量耐量的選擇：應(yīng)大于沖擊源預(yù)定的最大的沖擊電流，最大沖擊能量。
限制電壓的選擇：應(yīng)小于被保護(hù)電路允許的最大工作電壓（沖擊耐壓值）
電容量的選擇：不能對(duì)高速數(shù)據(jù)傳輸線和信號(hào)線產(chǎn)生干擾和破壞。USB2.0接口，C＜4pF,USB1.1接口， C＜10pF,無線電裝置C＜50pF,音頻、視頻系統(tǒng)C＜200pF。
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