三極管的檢測方法與經(jīng)驗
　　1中、小功率三極管的檢測
　　A已知型號和管腳排列的三極管，可按下述方法來判斷其性能好壞
　　(a)測量極間電阻。將萬用表置于R×100或R×1k擋，按照紅、黑表筆的六種不同接法進(jìn)行測試。其中，發(fā)射結(jié)和集電結(jié)的正向電阻值比較低，其他四種接法測得的電阻值都很高，約為幾百千歐至無窮大。但不管是低阻還是高阻，硅材料三極管的極間電阻要比鍺材料三極管的極間電阻大得多。
　　(b)三極管的穿透電流ICEO的數(shù)值近似等于管子的倍數(shù)β和集電結(jié)的反向電流ICBO的乘積。ICBO隨著環(huán)境溫度的升高而增長很快，ICBO的增加必然造成ICEO的增大。而ICEO的增大將直接影響管子工作的穩(wěn)定性，所以在使用中應(yīng)盡量選用ICEO小的管子。
　　通過用萬用表電阻直接測量三極管e－c極之間的電阻方法，可間接估計ICEO的大小，具體方法如下：
　　萬用表電阻的量程一般選用R×100或R×1k擋，對于PNP管，黑表管接e極，紅表筆接c極，對于NPN型三極管，黑表筆接c極，紅表筆接e極。要求測得的電阻越大越好。e－c間的阻值越大，說明管子的ICEO越??；反之，所測阻值越小，說明被測管的ICEO越大。一般說來，中、小功率硅管、鍺材料低頻管，其阻值應(yīng)分別在幾百千歐、幾十千歐及十幾千歐以上，如果阻值很小或測試時萬用表指針來回晃動，則表明ICEO很大，管子的性能不穩(wěn)定。
　　(c)測量放大能力(β)。目前有些型號的萬用表具有測量三極管hFE的刻度線及其測試插座，可以很方便地測量三極管的放大倍數(shù)。先將萬用表功能開關(guān)撥至擋，量程開關(guān)撥到ADJ位置，把紅、黑表筆短接，調(diào)整調(diào)零旋鈕，使萬用表指針指示為零，然后將量程開關(guān)撥到hFE位置，并使兩短接的表筆分開，把被測三極管插入測試插座，即可從hFE刻度線上讀出管子的放大倍數(shù)。
　　另外：有此型號的中、小功率三極管，生產(chǎn)廠家直接在其管殼頂部標(biāo)示出不同色點來表明管子的放大倍數(shù)β值，其顏色和β值的對應(yīng)關(guān)系如表所示，但要注意，各廠家所用色標(biāo)并不一定完全相同。
　　B檢測判別電極
　　(a)判定基極。用萬用表R×100或R×1k擋測量三極管三個電極中每兩個極之間的正、反向電阻值。當(dāng)用第一根表筆接某一電極，而第二表筆先后接觸另外兩個電極均測得低阻值時，則第一根表筆所接的那個電極即為基極b。這時，要注意萬用表表筆的極性，如果紅表筆接的是基極b。黑表筆分別接在其他兩極時，測得的阻值都較小，則可判定被測三極管為PNP型管；如果黑表筆接的是基極b，紅表筆分別接觸其他兩極時，測得的阻值較小，則被測三極管為NPN型管。
　　(b)判定集電極c和發(fā)射極e。(以PNP為例)將萬用表置于R×100或R×1k擋，紅表筆基極b，用黑表筆分別接觸另外兩個管腳時，所測得的兩個電阻值會是一個大一些，一個小一些。在阻值小的一次測量中，黑表筆所接管腳為集電極；在阻值較大的一次測量中，黑表筆所接管腳為發(fā)射極。
　　C判別高頻管與低頻管
　　高頻管的截止頻率大于3MHz，而低頻管的截止頻率則小于3MHz，一般情況下，二者是不能互換的。
　　D在路電壓檢測判斷法
　　在實際應(yīng)用中、小功率三極管多直接焊接在印刷電路板上，由于元件的安裝密度大，拆卸比較麻煩，所以在檢測時常常通過用萬用表直流電壓擋，去測量被測三極管各引腳的電壓值，來推斷其工作是否正常，進(jìn)而判斷其好壞。
　　2大功率晶體三極管的檢測
　　利用萬用表檢測中、小功率三極管的極性、管型及性能的各種方法，對檢測大功率三極管來說基本上適用。但是，由于大功率三極管的工作電流比較大，因而其PN結(jié)的面積也較大。PN結(jié)較大，其反向飽和電流也必然增大。所以，若像測量中、小功率三極管極間電阻那樣，使用萬用表的R×1k擋測量，必然測得的電阻值很小，好像極間短路一樣，所以通常使用R×10或R×1擋檢測大功率三極管。
　　3普通達(dá)林頓管的檢測
　　用萬用表對普通達(dá)林頓管的檢測包括識別電極、區(qū)分PNP和NPN類型、估測放大能力等項內(nèi)容。因為達(dá)林頓管的E－B極之間包含多個發(fā)射結(jié)，所以應(yīng)該使用萬用表能提供較高電壓的R×10k擋進(jìn)行測量。
　　4大功率達(dá)林頓管的檢測
　　檢測大功率達(dá)林頓管的方法與檢測普通達(dá)林頓管基本相同。但由于大功率達(dá)林頓管內(nèi)部設(shè)置了V3、R1、R2等保護(hù)和泄放漏電流元件，所以在檢測量應(yīng)將這些元件對測量數(shù)據(jù)的影響加以區(qū)分，以免造成誤判。具體可按下述幾個步驟進(jìn)行：
　　A用萬用表R×10k擋測量B、C之間PN結(jié)電阻值，應(yīng)明顯測出具有單向?qū)щ娦阅?。正、反向電阻值?yīng)有較大差異。
　　B在大功率達(dá)林頓管B－E之間有兩個PN結(jié)，并且接有電阻R1和R2。用萬用表電阻擋檢測時，當(dāng)正向測量時，測到的阻值是B－E結(jié)正向電阻與R1、R2阻值并聯(lián)的結(jié)果；當(dāng)反向測量時，發(fā)射結(jié)截止，測出的則是(R1＋R2)電阻之和，大約為幾百歐，且阻值固定，不隨電阻擋位的變換而改變。但需要注意的是，有些大功率達(dá)林頓管在R1、R2、上還并有二極管，此時所測得的則不是(R1＋R2)之和，而是(R1＋R2)與兩只二極管正向電阻之和的并聯(lián)電阻值。
　　5帶阻尼行輸出三極管的檢測
　　將萬用表置于R×1擋，通過單獨測量帶阻尼行輸出三極管各電極之間的電阻值，即可判斷其是否正常。具體測試原理，方法及步驟如下：
　　A將紅表筆接E，黑表筆接B，此時相當(dāng)于測量大功率管B－E結(jié)的等效二極管與保護(hù)電阻R并聯(lián)后的阻值，由于等效二極管的正向電阻較小，而保護(hù)電阻R的阻值一般也僅有20～50，所以，二者并聯(lián)后的阻值也較??；反之，將表筆對調(diào)，即紅表筆接B，黑表筆接E，則測得的是大功率管B－E結(jié)等效二極管的反向電阻值與保護(hù)電阻R的并聯(lián)阻值，由于等效二極管反向電阻值較大，所以，此時測得的阻值即是保護(hù)電阻R的值，此值仍然較小。
　　B將紅表筆接C，黑表筆接B，此時相當(dāng)于測量管內(nèi)大功率管B－C結(jié)等效二極管的正向電阻，一般測得的阻值也較小；將紅、黑表筆對調(diào)，即將紅表筆接B，黑表筆接C，則相當(dāng)于測量管內(nèi)大功率管B－C結(jié)等效二極管的反向電阻，測得的阻值通常為無窮大。
　　C將紅表筆接E，黑表筆接C，相當(dāng)于測量管內(nèi)阻尼二極管的反向電阻，測得的阻值一般都較大，約300～∞；將紅、黑表筆對調(diào)，即紅表筆接C，黑表筆接E，則相當(dāng)于測量管內(nèi)阻尼二極管的正向電阻，測得的阻值一般都較小，約幾至幾十。

三極管的原理與作用

三極管的工作原理

    三極管的主要作用是電流放大，以共發(fā)射極接法為例（信號從基極輸入，從集電極輸出，發(fā)射極接地），當(dāng)基極電壓UB有一個微小的變化時，基極電流IB也會隨之有一小的變化，受基極電流IB的控制，集電極電流IC會有一個很大的變化，基極電流IB越大，集電極電流IC也越大，反之，基極電流越小，集電極電流也越小，即基極電流控制集電極電流的變化。但是集電極電流的變化比基極電流的變化大得多，這就是三極管的放大作用。IC 的變化量與IB變化量之比叫做三極管的放大倍數(shù)β（β=ΔIC/ΔIB, Δ表示變化量。），三極管的放大倍數(shù)β一般在幾十到幾百倍。

圖片1

三極管在放大信號時，首先要進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)，即要先建立合適的靜態(tài)工作點，也叫 建立偏置 ，否則會放大失真。 

在三極管的集電極與電源之間接一個電阻，可將電流放大轉(zhuǎn)換成電壓放大：當(dāng)基極電壓UB升高時，IB變大，

IC也變大，IC 在集電極電阻RC的壓降也越大，所以三極管集電極電壓UC會降低，且UB越高，UC就越低，

ΔUC=ΔUB。

三極管的作用

    三極管的作用一   設(shè)計反相器管

我們知道三極管相當(dāng)于一條通道，在這條通道上電流出發(fā)的那一端叫做源極，而電流到達(dá)的那一端叫做漏極，控制電流通斷的那個電極叫做柵極，那么柵極需要帶上什么樣的電壓才表示通道導(dǎo)通呢？一般情況下，柵極對源極的電壓為0V時，表示關(guān)斷，柵極上帶 0.7V以上的電壓時，表示導(dǎo)通，應(yīng)該注意柵極壓是對源極而言的。

    上述的 MOS三極管我們叫它 N型 MOS管，對應(yīng)的，還有一種 P型 MOS 管， P型 MOS管的特性正好完全相反，電流從漏極出發(fā)到達(dá)源極，柵極帶上比漏極低于0.7V以下的電壓時， MOS管導(dǎo)通。如果規(guī)定只能用一種類型的 MOS管，我們也能設(shè)計出集成電路來，想當(dāng)初的半導(dǎo)體工藝只適合于做 N型一種類型的 MOS管，那時侯的集成電路大部分NMOS集成電路，我們熟悉的早期的 Z80、8048等，都是用 NMOS工藝制造的。后來，發(fā)展了在同一個芯片上做兩種不同類型 MOS管的工藝，叫做CMOS工藝，現(xiàn)在已是半導(dǎo)體行業(yè)的主流工藝。N 管和 P管的版圖設(shè)計并沒有什么不一樣，只要對其類型做一個標(biāo)記就可以了，這個標(biāo)記用來通知制造集成電路的人把這些管子做成某一類型的管子，在下圖中我們把 P管用虛框圈起來作為標(biāo)記。

    三極管的作用二   設(shè)計集成電路 

    設(shè)計集成電路也很簡單，不過就是把那些三極管連接起來，用什么來連接呢？總不至于用電烙鐵和焊錫絲之類的方法吧？在集成電路里不用這種方法，用的是類似于雙面線路板的方法，雙面線路板上的過孔將線路板的兩面連接了起來，在集成電路了也用了過孔，兩層導(dǎo)電材料分別是鋁和多晶硅，鋁可以越過各種區(qū)域通到任何地方而不受限制，但多晶硅可不可以呢？好象可以，可是，的多晶硅越過有源區(qū)時，有源區(qū)變成了一個受多晶硅控制的電流通路：一個多余的三極管，這不是我們所希望的，所以，我們在這里增加一條規(guī)則：多晶硅不能跨越有源區(qū)。按這樣的規(guī)則連接兩各三極管，我們就設(shè)計了一個含有一個反相器的簡單的集成電路。