|
貼片電容的優(yōu)點(diǎn)：
一個(gè)是等效串聯(lián)阻抗（ESR：Equivalent Series Resistance）較小，因此頻率特性出色。ESR是指電容器內(nèi)部電極等的阻抗。這一阻抗較大的話(huà)，除了判斷噪聲吸收特性?xún)?yōu)劣的依據(jù)、即阻抗的頻率特性會(huì)變差之外，阻抗導(dǎo)致的發(fā)熱也不容忽視。因此，在安裝于微處理器、DSP及MCU等半導(dǎo)體芯片的周?chē)?，用于?duì)噪聲進(jìn)行吸收的去耦用途時(shí)，較低的ESR值是不可或缺的要素。
另一個(gè)是對(duì)異常電壓具有較強(qiáng)的耐受性。比如，以額定電壓為16V、靜電容量為10μF的產(chǎn)品進(jìn)行直流擊穿電壓的比較時(shí)，鋁電解電容器只有30V，鉭電解電容器也不過(guò)30～60V。而片狀獨(dú)石陶瓷電容器極高，可以達(dá)到約200V。因此，即使電子設(shè)備因某種原因而出現(xiàn)了浪涌電壓或脈沖電壓時(shí)，如果配備的是片狀獨(dú)石陶瓷電容器的話(huà)，仍可將絕緣擊穿導(dǎo)致故障的可能性控制在較低水準(zhǔn)上。
電容器已誕生近50年。其間，片狀獨(dú)石陶瓷電容器什么是電容器?通過(guò)介電體層的薄型化以及新型介電體材料的開(kāi)發(fā)，穩(wěn)步實(shí)現(xiàn)小型化和大容量化。由此，片狀獨(dú)石陶瓷電容器逐漸從率先普及的鋁電解電容器、鉭電解電容什么是電解電容?器、薄膜電容器什么是薄膜電容器?手中奪取市場(chǎng)，勢(shì)力范圍不斷擴(kuò)大（圖1）。比如靜電容量范圍在10μ～100μF的產(chǎn)品中，2002年片狀獨(dú)石陶瓷電容器的所占比例幾乎為零，但隨著向小型化和大容量化方向發(fā)展，到2005年可向市場(chǎng)投放產(chǎn)品中，片狀獨(dú)石陶瓷電容器的所占比例就升至約1/3，到2007年更是提高到了約2/3
貼片陶瓷電容的缺點(diǎn)大致有兩個(gè)。
第一是溫度特性較差。具體體現(xiàn)為靜電容量著溫度而變化的幅度較大。鋁電解電容器的容量變化在-55～+125℃的溫度范圍內(nèi)為±15％左右，而片狀獨(dú)石陶瓷電容器不同，有的種類(lèi)（比如F特性的產(chǎn)品）在+30～-80％的范圍內(nèi)便會(huì)大幅變化。因此，在將片狀獨(dú)石陶瓷電容器用于汽車(chē)車(chē)內(nèi)等高溫環(huán)境下或滑雪場(chǎng)等寒冷環(huán)境下的電子設(shè)備時(shí)，需要在考慮了容量變化的基礎(chǔ)上來(lái)設(shè)計(jì)電子電路。
不過(guò)，要注意的是，溫度特性較差的缺點(diǎn)只存在于介電體材料使用鈦酸鋇（BaTiO3）的高介電常數(shù)型（2類(lèi)，CLASS-II）片狀獨(dú)石陶瓷電容器中。使用氧化鈦（TiO2）的1類(lèi)（CLASS-I）片狀獨(dú)石陶瓷電容器，在-55～+125℃范圍內(nèi)的容量溫度系數(shù)最大只有±60ppm/℃。但目前氧化鈦存在介電常數(shù)較小的問(wèn)題，因此未能實(shí)現(xiàn)大容量產(chǎn)品。
第二是存在直流電壓特性（DC偏壓特性）。直流電壓特性是指在向片狀獨(dú)石陶瓷電容器施加直流電壓后實(shí)際靜電容量會(huì)減少的現(xiàn)象（圖3）。比如，在向額定電壓為6.3V、靜電容量為100μF的片狀獨(dú)石陶瓷電容器實(shí)施加直流4V電壓時(shí)，如果是B特性產(chǎn)品的話(huà)，靜電容量就會(huì)減少約20％，F(xiàn)特性產(chǎn)品甚至?xí)p少約80％。而鋁電解電容器和鉭電解電容器則不會(huì)出現(xiàn)這種現(xiàn)象。
風(fēng)華貼片電容代理商經(jīng)銷(xiāo)商-NSCN南京南山是風(fēng)華國(guó)內(nèi)最大的代理商之一，經(jīng)銷(xiāo)風(fēng)華全系列貼片電容，貼片電阻，貼片電感磁珠等產(chǎn)品。買(mǎi)風(fēng)華貼片電容就找南京南山 電話(huà)：400 888 5058 小批量購(gòu)買(mǎi)拆盤(pán)貼片電容請(qǐng)直接到南山e店下單購(gòu)買(mǎi)。
|
