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新潔能功率型場效應管NCE3400XY：工控系統(tǒng)的關(guān)鍵器件

發(fā)布時間：2025-05-29 品牌：新潔能(NCE) 瀏覽量：337

新潔能功率MOSFET--NCE3400XY，這款器件是先進溝槽技術(shù)的結(jié)晶，專為電池保護和各種開關(guān)應用設(shè)計。以其卓越的導通電阻、低柵極電荷和低至2.5V的柵極電壓操作而脫穎而出，成為高效能電子設(shè)計的關(guān)鍵組件。今天就讓我們一起來探索這款新潔能功率型場效應管NCE3400XY：工控系統(tǒng)的關(guān)鍵器件。

 

 

NCE3400XY的一般特性包括30V的漏源電壓和5.1A的連續(xù)漏極電流，這意味著它能夠處理高功率和電流，同時保持低導通電阻。在2.5V的柵源電壓下，RDS(ON)小于55毫歐，而在10V的柵源電壓下，RDS(ON)更是降至24毫歐，這使得它在電源管理、PWM應用和負載開關(guān)等應用中表現(xiàn)出色。

 

這款功率MOSFET還具備無鉛產(chǎn)品認證，符合環(huán)保要求，并且采用表面貼裝封裝，便于自動化生產(chǎn)和表面貼裝技術(shù)（SMT）。此外，NCE3400XY的絕對最大額定值包括±12V的柵源電壓和1.3W的最大功耗，以及-55℃至150℃的工作結(jié)溫和儲存溫度范圍，這使得它能夠在極端環(huán)境下穩(wěn)定工作。

 

NCE3400XY的熱特性也非常出色，其結(jié)到環(huán)境的熱阻為96℃/W，這有助于在高功率耗散下保持器件的穩(wěn)定性。電氣特性方面，它提供了從0.7V到1.2V的柵閾值電壓，以及在不同柵源電壓和漏極電流條件下的低導通電阻。

 

電氣特性

 

符號 條件 最小值 典型值 最大值 單位
VDS - - - 30 V
VGS - - - ±12 V
ID - - - 5.1 A
IDM - - - 20 A
PD - - - 1.3 W
TJ, TSTG - -55 - 150 ℃
BVDSS VGS=0V, ID=250μA 30 - - V
IDSS VDS=30V, VGS=0V - - 1 μA
IGSS VGS=±12V, VDS=0V - - ±100 nA
VGS(th) VDS=VGS, ID=250μA 0.7 0.9 1.2 V
RDS(on) VGS=2.5V, ID=3A - - 55 mΩ
RDS(on) VGS=4.5V - 39 - mΩ
RDS(on) VGS=10V - - 33 mΩ
Qg VGS=15V - 9.3 - nC
Ciss VDS=15V - 595 - pF
Crss VDS=15V - 36 - pF

 

動態(tài)特性包括595pF的輸入電容、39pF的輸出電容和36pF的反向傳輸電容，這些特性使得NCE3400XY在開關(guān)應用中能夠快速響應。此外，它的開關(guān)特性也非常出色，開通延遲時間為3.0納秒，關(guān)斷延遲時間為25納秒，這使得它在需要快速切換的應用中表現(xiàn)出色。

 

動態(tài)特性

 

參數(shù) 符號 條件 最小值 典型值 最大值 單位
輸入電容 Ciss - - 595 - pF
輸出電容 Coss - - 39 - pF
反向傳輸電容 Crss VDS=15V, VGS=0V, F=1.0MHz - 36 - pF
開通延遲時間 td(on) - - 3.0 - ns
開通上升時間 tr - - 4.5 - ns
關(guān)斷延遲時間 td(off) - - 25 - ns
關(guān)斷下降時間 tf VDD=15V, RL=3Ω, VGS=10V, RGEN=3Ω - - - ns

 

NCE3400XY的漏源二極管特性也不容忽視，其正向電壓為1.2V，能夠處理高達5.1A的正向電流。這款功率MOSFET的典型電氣和熱特性，以及開關(guān)測試電路和波形，都展示了其在實際應用中的性能。

 

總之，NCE3400XY功率MOSFET以其高性能、可靠性和適應性，為現(xiàn)代電子設(shè)計提供了一個強大的解決方案。無論是電池保護還是其他開關(guān)應用，NCE3400XY都能提供卓越的性能，幫助設(shè)計者實現(xiàn)更高效、更可靠的電子設(shè)備。