新潔能NCE65TF130系列高性能N溝道功率MOSFET是電力電子領(lǐng)域的明星產(chǎn)品

在電力電子領(lǐng)域，隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步，對(duì)于功率器件的性能要求也在日益提高。無(wú)錫NCE Power Co., Ltd推出的NCE65TF130系列N溝道功率MOSFET，憑借其卓越的性能和廣泛的應(yīng)用范圍，成為了眾多工程師和設(shè)計(jì)師的首選?？梢哉f(shuō)，新潔能NCE65TF130系列高性能N溝道功率MOSFET是電力電子領(lǐng)域的明星產(chǎn)品。

NCE65TF130系列采用先進(jìn)的溝槽柵技術(shù)設(shè)計(jì)，旨在為各種電力應(yīng)用提供卓越的性能。該系列器件具有極低的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）和低柵極電荷，能夠顯著降低開(kāi)關(guān)損耗，提高系統(tǒng)效率。其優(yōu)化的體二極管反向恢復(fù)性能，使其在高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出色，同時(shí)，超小的封裝尺寸也滿足了現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)緊湊設(shè)計(jì)的需求。此外，該系列MOSFET還通過(guò)了100%雪崩測(cè)試，確保了在極端條件下的可靠性，并且符合ROHS環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)。

技術(shù)規(guī)格

（一）基本參數(shù)

- 漏源電壓（VDS）：650V，能夠承受高電壓，適用于多種高壓應(yīng)用場(chǎng)景。

- 導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）：典型值為120mΩ，在同類(lèi)產(chǎn)品中處于領(lǐng)先水平，有效降低了導(dǎo)通損耗。

- 連續(xù)漏極電流（ID）：在25℃時(shí)為28A，即使在100℃的高溫環(huán)境下，也能維持18A的電流，展現(xiàn)了出色的熱穩(wěn)定性。

- 脈沖漏極電流（IDM）：高達(dá)112A，能夠應(yīng)對(duì)瞬間大電流沖擊，增強(qiáng)了器件的魯棒性。

（二）電氣特性

- 柵極閾值電壓（VGS(th)）：范圍在2.6V至4.3V之間，確保了穩(wěn)定的開(kāi)關(guān)控制。

- 輸入電容（Clss）：2070pF，較低的輸入電容有助于減少開(kāi)關(guān)過(guò)程中的能量損耗。

- 輸出電容（Coss）：120pF，有效降低了高頻開(kāi)關(guān)時(shí)的寄生效應(yīng)。

- 總柵極電荷（Qg）：37.5nC，低柵極電荷使得驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)更加簡(jiǎn)單，降低了驅(qū)動(dòng)功耗。

（三）動(dòng)態(tài)特性

- 開(kāi)通延遲時(shí)間（td(on)）：僅為14ns，快速的開(kāi)通響應(yīng)提高了系統(tǒng)的動(dòng)態(tài)性能。

- 開(kāi)通上升時(shí)間（tr）：12ns，確保了開(kāi)關(guān)過(guò)程的平滑過(guò)渡。

- 關(guān)斷延遲時(shí)間（td(off)）：65ns，較長(zhǎng)的關(guān)斷延遲時(shí)間有助于避免誤導(dǎo)通，提高系統(tǒng)的可靠性。

- 關(guān)斷下降時(shí)間（tf）：11ns，快速的關(guān)斷過(guò)程減少了開(kāi)關(guān)損耗。

應(yīng)用領(lǐng)域

NCE65TF130系列廣泛應(yīng)用于多種電力轉(zhuǎn)換和控制場(chǎng)景，包括但不限于：

- 功率因數(shù)校正（PFC）：在電源系統(tǒng)中，PFC電路用于提高功率因數(shù)，減少諧波失真。該系列MOSFET的低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)特性使其成為PFC電路的理想選擇，能夠有效提高電源的效率和穩(wěn)定性。

- 開(kāi)關(guān)模式電源（SMPS）：SMPS以其高效率、小體積而廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備。NCE65TF130系列能夠滿足SMPS對(duì)高頻開(kāi)關(guān)器件的需求，提供穩(wěn)定的電源輸出。

- 不間斷電源（UPS）：在UPS系統(tǒng)中，MOSFET用于逆變器和電池充電器等關(guān)鍵部件。該系列器件的高可靠性和低損耗特性確保了UPS在長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行中的穩(wěn)定性和高效性。

- LLC半橋電路：LLC半橋電路是一種高效的DC-DC轉(zhuǎn)換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。NCE65TF130系列的快速開(kāi)關(guān)特性和低寄生電容使其在LLC半橋電路中表現(xiàn)出色，能夠?qū)崿F(xiàn)高效率的能量轉(zhuǎn)換。

封裝信息

NCE65TF130系列提供多種封裝形式，以滿足不同客戶的需求：

- TO-263封裝：尺寸緊湊，散熱性能良好，適用于對(duì)空間要求較高的應(yīng)用。

- TO-220封裝：經(jīng)典的封裝形式，具有良好的機(jī)械穩(wěn)定性和散熱性能，廣泛應(yīng)用于各種電力電子設(shè)備。

- TO-220F封裝：與TO-220類(lèi)似，但具有更小的尺寸和更好的散熱性能，適合高密度安裝的場(chǎng)合。

安全與可靠性

NCE65TF130系列在設(shè)計(jì)和制造過(guò)程中嚴(yán)格遵循國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，確保了產(chǎn)品的安全性和可靠性。100%的雪崩測(cè)試保證了器件在過(guò)壓和過(guò)流條件下的生存能力，使其能夠在惡劣的工作環(huán)境中穩(wěn)定運(yùn)行。此外，該系列產(chǎn)品還符合ROHS環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)，體現(xiàn)了NCE Power對(duì)環(huán)境保護(hù)的承諾。

NCE65TF130系列N溝道功率MOSFET憑借其卓越的性能、廣泛的應(yīng)用范圍和可靠的品質(zhì)，成為了電力電子領(lǐng)域的一款明星產(chǎn)品。無(wú)論是在傳統(tǒng)的電源應(yīng)用中，還是在新興的高效能轉(zhuǎn)換技術(shù)中，NCE65TF130系列都能夠提供出色的性能表現(xiàn)，滿足工程師和設(shè)計(jì)師對(duì)高性能功率器件的需求。