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新潔能N溝道功率MOSFET NCE4009S，滿足充電器、適配器等需求

發(fā)布時間：2024-11-21 品牌：新潔能(NCE) 瀏覽量：908

隨著手機(jī)快充技術(shù)迅速發(fā)展，功率器件MOSFET，作為充電器、適配器等智能終端配套產(chǎn)品核心元器件之一，同樣也迎來了發(fā)展契機(jī)。今天給大家推薦一款新潔能N溝道功率MOSFET NCE4009S，滿足充電器、適配器等需求。這款新潔能品牌的N溝道MOSFET，工作電壓為40V，連續(xù)漏極電流9A。具有較低的導(dǎo)通電阻，封裝采用SOP8，適用于緊湊空間的電路設(shè)計(jì)，廣泛應(yīng)用于高性能電源和功率管理系統(tǒng)，可提供可靠的電流開關(guān)控制。

NCE4009S主要參數(shù):

漏源電壓（Vds）：40V
導(dǎo)通電阻（RDS（on））：＜16mΩ @ VGS=10V；＜24mΩ @ VGS=4.5V
連續(xù)漏極電流（Id）：9A
脈沖漏極電流（IDM）：40A
功率（Pd）：2W
工作溫度范圍：-55℃~+150℃

NCE4009S典型的電氣和熱特性:

NCE4009S產(chǎn)品優(yōu)勢：

N溝道增強(qiáng)型：作為N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管，NCE4009S具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的輸入阻抗，這使得它在開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出色，能夠有效降低功耗并提高效率。
導(dǎo)通電阻低：NCE4009S具有較低的導(dǎo)通電阻，導(dǎo)通電阻是芯片在導(dǎo)通狀態(tài)下漏極和源極之間的電阻值，較低的導(dǎo)通電阻意味著在導(dǎo)通時的能量損耗較小，從而能夠更高效地傳輸電流。
高電壓和高電流能力：該場效應(yīng)管具有40V的耐壓能力和9A的電流承載能力，使其能夠在高壓和高電流環(huán)境下穩(wěn)定工作，適合用于功率較大的電路中。
小體積封裝：NCE4009S采用SOP-8封裝，這種封裝形式便于安裝和焊接，同時占用空間較小，適合在空間受限的電路設(shè)計(jì)中使用。

NCE4009S應(yīng)用：

在充電器與適配器電路中，NCE4009S其低功耗、高效率的特點(diǎn)使得它成為這些設(shè)備中理想的電源管理元件。除此之外，NCE4009S還被廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：

LED照明系統(tǒng)：在LED照明驅(qū)動模塊中，NCE4009S可用于實(shí)現(xiàn)高效的電流控制，確保LED燈具的穩(wěn)定工作。
電動工具控制模塊：NCE4009S由于其高電流特性，可應(yīng)用于電動工具中，提供可靠的電源開關(guān)控制。
電池管理系統(tǒng)：在電池充放電管理中，NCE4009S可用于設(shè)計(jì)電池保護(hù)模塊，確保電池安全可靠運(yùn)行。