新潔能新品mos：40V Gen.3 SGT MOSFET系列，功率密度與效率全面升級(jí)

新潔能MOSFET授權(quán)代理商南山電子今天為大家介紹一下新潔能推出的第三代 SGT 產(chǎn)品 ——40V Gen.3 SGT MOSFET 系列，該系列產(chǎn)品采用國(guó)際先進(jìn)屏蔽柵溝槽工藝技術(shù)，芯片具有超高集成度，全面提升了器件的開(kāi)關(guān)特性和導(dǎo)通特性。

新潔能 40V Gen.3 SGT MOSFET 系列特征比導(dǎo)通電阻 Rsp 相比上一代產(chǎn)品降低 33%，品質(zhì)因子 FOM 降低 31%，具備更高的電流密度、功率密度和魯棒性。此外，該系列產(chǎn)品通過(guò)三維溝槽結(jié)構(gòu)創(chuàng)新與低阻晶圓工藝技術(shù)升級(jí)，提高全溫度區(qū)間 Ron 穩(wěn)定性，突破傳統(tǒng)導(dǎo)通損耗與散熱的極限平衡。以同面積的 MOS 芯片相比，Gen.3 在 150℃結(jié)溫下 Ron 增量較 Gen.1 減少 16%，在保持超低 Ron 的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)溫升效率行業(yè)領(lǐng)先，有效解決高溫場(chǎng)景下的效率衰減難題，助力系統(tǒng)小型化與長(zhǎng)期可靠性，重構(gòu)中低壓功率器件的熱管理能力。

產(chǎn)品特點(diǎn)：

• 超低特征導(dǎo)通電阻 Rsp（導(dǎo)通電阻 Ron * 芯片面積 AA）
• 極優(yōu)品質(zhì)因子 FOM（導(dǎo)通電阻 Ron * 柵極總電荷 Qg）
• 更小閾值電壓 Vth Range，利于并聯(lián)應(yīng)用
• 更優(yōu)溫升效率，有效解決高溫場(chǎng)景下的效率衰減難題
• 極高功率密度
• 更優(yōu)抗振蕩能力
• 更強(qiáng)魯棒性
• 更齊全的封裝形式
• 更齊全的電阻、電流型號(hào)規(guī)格

NCE世代產(chǎn)品與最優(yōu)競(jìng)品Rsp性能對(duì)比：

NCE世代產(chǎn)品Ron溫升性能對(duì)比：

為方便客戶在不同場(chǎng)景下使用，40V Gen.3 SGT MOSFET系列產(chǎn)品細(xì)分為高VTH和低VTH兩個(gè)細(xì)分方向，并提供不同RDS(ON)檔位，無(wú)論是電機(jī)驅(qū)動(dòng)、鋰電池保護(hù)、同步整流，還是新能源汽車與AI算力等應(yīng)用，客戶都能靈活選型。此外，產(chǎn)品封裝也十分豐富，涵蓋DFN5×6、DFN5×6-DSC、sTOLL、TOLL等多種常用形式，能夠支持更靈活的交期和本地化服務(wù)。

應(yīng)用領(lǐng)域：

• 新能源汽車
• AI 算力
• 通信服務(wù)器
• 不間斷電源 UPS
• 鋰電池保護(hù)
• 電動(dòng)工具
• 無(wú)人機(jī)
• 適配器

命名規(guī)則：

南山電子自2020年起成為新潔能（NCE）的正式授權(quán)代理商，代理其MOSFET、IGBT全系列產(chǎn)品，我們致力于為客戶提供穩(wěn)定可靠的現(xiàn)貨供應(yīng)與專業(yè)的全方位技術(shù)支持。如需獲取最新產(chǎn)品信息，歡迎隨時(shí)通過(guò)南山半導(dǎo)體官網(wǎng)的在線客服或撥打客服熱線 400-888-5058 與我們聯(lián)系。