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CE常見(jiàn)問(wèn)題解析丨NB模塊時(shí)間偏差大,如何校準(zhǔn)晶振電路
問(wèn)題背景:
NB-IoT模塊產(chǎn)品出現(xiàn)較高不良率,實(shí)時(shí)時(shí)鐘誤差過(guò)大(每日偏差約15秒),無(wú)法滿(mǎn)足應(yīng)用需求。
問(wèn)題分析:
該NB模組采用一款支持Cat-NB2的低功耗SoC芯片,時(shí)鐘回路使用的晶振:32.768KHz 12.5pf ±20ppm晶振。下方為原理圖,可以看到,該設(shè)計(jì)實(shí)際電路中使用兩顆10pF電容作為負(fù)載電容,布線緊湊。
32KHz時(shí)鐘回路原理圖:
鐘回路原理圖.png)
經(jīng)推算,兩個(gè)10pf電容串聯(lián)后疊加約2pf寄生電容,整體負(fù)載電容僅7pf,與晶振要求的12.5pf相差懸殊。
實(shí)際測(cè)試:
際測(cè)試.png)
實(shí)際測(cè)試顯示,該配置下輸出誤差高達(dá)+170ppm。按1ppm對(duì)應(yīng)0.0864秒/天計(jì)算,每天時(shí)間偏差約14秒,與反饋一致,顯然不可行。
按外接電容與輸出頻率的反比特性,增加C1、C2電容值可改善偏差,但會(huì)降低起振性能、增加功耗,不適合當(dāng)前的模塊(NB)應(yīng)用。且當(dāng)前回路起振能力僅370K歐姆,大幅增容易導(dǎo)致不起振。此時(shí)需要更換小負(fù)載電容值,內(nèi)阻更低的晶振才行。
解決方案:
推薦更換為負(fù)載電容匹配、內(nèi)阻更低的晶振:Epson 32.768KHz晶振FC2012AN(7pf、±20ppm):
低內(nèi)阻:僅60K歐姆(同類(lèi)型晶振多為90K歐姆,內(nèi)阻越低,功耗越低)
小封裝:2.0*1.2mm,整體適配低功耗、小尺寸場(chǎng)景
實(shí)際測(cè)試:
際測(cè)試-.png)
由上圖可知,更換后預(yù)計(jì)頻率誤差降至11.2ppm,每日時(shí)間偏差約0.97秒。起振余量是370kΩ,大于5倍ESR值(5×60kΩ=300kΩ)。
該配置下的誤差:0.0864s/day*11.2=0.96768s/day即每天不到1秒。
總結(jié):
模塊時(shí)間不準(zhǔn),需要調(diào)整外接的電容;
低內(nèi)阻更適配低功耗場(chǎng)景,內(nèi)阻過(guò)高則有起振風(fēng)險(xiǎn)。
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